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제품 소개탄화규소계 세라믹스

비범한 침식 저항성, 높은 열 전도성, 낮은 열 팽창성을 가진 실리콘 탄화물 판

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제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: ZG
인증: CE
모델 번호: MS
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1개
가격: 10USD/PC
포장 세부 사항: 글로벌 배송을위한 강력한 나무 상자
배달 시간: 5-8 일
지불 조건: L/C,D/A,D/P,T/T,웨스턴 유니온,MoneyGram
공급 능력: 1000PCS

비범한 침식 저항성, 높은 열 전도성, 낮은 열 팽창성을 가진 실리콘 탄화물 판

설명
강조하다:

뛰어난 내식성 실리콘 카바이드 플레이트

,

높은 열전도율 SiC 플레이트

,

낮은 열팽창 실리콘 카바이드 세라믹 플레이트

실리콘 카비드 (SiC) 판
실리콘 카바이드 (SiC) 는 다이아몬드와 많은 특징을 공유합니다. 그것은 가장 가볍고 가장 단단하고 가장 강한 기술 세라믹 재료 중 하나입니다. 그것은 훌륭한 열 전도성을 가지고 있습니다.산성, 그리고 낮은 열 확장. 실리콘 탄화물은 비범한 침식 및 경직 저항성으로 인해 물리적 마모가 중요한 고려 사항이 될 때 훌륭한 재료입니다.
  • 압력 없는 합성 실리콘 탄화물 세라믹
  • 특이한 침식 및 경직 저항성
  • 노즐, 샌드블래싱 노즐 및 사이클론 분리 부품에 적합합니다.
기계적 특성
재산 단위 실리콘 카비드
밀도 g/cm3 3.15
비커스 강도 H.V.5 2650
굽기 힘 MPa 450
압축력 MPa 2650
탄력 모듈 GPa 430
골절 강도 MPa*m1/2 4
포이슨 비율 0.14
영의 모듈 GPa 430
실리콘 탄화물 원자재 순도 % 99
열 특성
재산 단위 실리콘 카비드
열전도 25°C W/mK 110
녹는점 °C 2800
특정 열 J/g*K 0.8
선형 팽창 계수 10−6/K 4
전기 특성
재산 단위 실리콘 카비드
다이 일렉트릭 상수 1MHz 10
분사 전압 V/cm 1×106
다이 일렉트릭 손실 1MHz 0.001
저항성 Ω*cm 102-106
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연락처 세부 사항
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

담당자: Daniel

전화 번호: 18003718225

팩스: 86-0371-6572-0196

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