알루미늄 나이트라이드 세라믹 부품

알루미늄 질화물 세라믹 부품

전기 절연 특성과 뛰어난 열 전도성 덕분에 질화알루미늄(AIN) 세라믹은 열 방출이 필요한 응용 분야에 이상적입니다. 또한 열팽창계수가 실리콘에 가깝고 내플라즈마성이 우수하여 반도체 공정장비 부품에 사용됩니다.

질화알루미늄(AIN) 세라믹은 아래와 같은 탁월한 특성을 나타냅니다.

• 좋은 기계적 성질,
• Al2O3 및 BeO 세라믹보다 굽힘 강도가 높고,
• 고온 및 내식성.
• 높은 열 전도성과 우수한 전기 절연 특성이 결합되었습니다.
• 다량의 용융염에 노출되었을 때 안정성이 탁월합니다.
• 열 안정성은 1500°C 이상입니다.
• 고온 범위에 걸쳐 유리한 기계적 특성을 나타냅니다.
• 열팽창이 낮고 열충격에 강합니다.
• 특수 광학 및 음향 특성.

가공의 형성:

• 세라믹 사출 성형
• 저압 다이캐스팅
• 냉간 정수압 프레스
• 건식프레스
• 테이프 캐스팅
• 정밀 가공

질화알루미늄 세라믹 제품:

• 고전력 시스템용 AlN 세라믹 라디에이터
• AlN 도가니, Al 증발 컵 및 고온 부식에 강한 기타 부품.
• 직접 결합 구리(DBC) 기판
• AlN 세라믹 막대
• ALN 세라믹 와플
• ALN 세라믹 기판
• AlN 세라믹 히터
• 맞춤 양식

질화알루미늄 세라믹 부품의 응용:

• 반도체 기술용 부품
• IC 하우징
• 열 모듈 기판
• 고전력 트랜지스터 모듈 기판
• 고주파 장치 기판
• 사이리스터 모듈용 발열 절연판
• 반도체 레이저, 발광 다이오드(LED)용 고정 기판
• 하이브리드 통합모듈, 점화장치 모듈
• 구조용 세라믹 소결에 사용됩니다.
• 금속 및 전자 담배를 녹이는 AlN 도가니
• 발광 재료에 적용됩니다.
• 기판 소재에 적용

질화알루미늄(AlN)은 최대 밴드갭이 6.2eV로 간접 밴드갭 반도체보다 더 높은 광전 변환 효율을 제공합니다. 중요한 청색 및 자외선 발광 재료인 AlN은 UV/원자외선 LED, 자외선 레이저 다이오드 및 자외선 검출기에 사용됩니다. 또한 AlN은 GaN 및 InN과 같은 III족 질화물 화합물과 연속적인 고용체를 형성할 수 있으며, 3차 또는 2차 합금은 가시광선부터 심자외선 범위까지 지속적으로 조정 가능한 밴드 갭을 제공할 수 있어 중요한 고효율 발광 재료가 됩니다.

AlN 결정은 GaN, AlGaN 및 AlN 에피택셜 재료에 이상적인 기판입니다. 사파이어 또는 SiC 기판과 비교하여 AlN은 GaN과의 우수한 열 매칭 및 화학적 호환성을 나타낼 뿐만 아니라 기판과 에피택셜 층 사이의 전압도 더 낮습니다. 따라서 GaN 에피택셜 기판으로서의 AlN 결정은 소자 결함 밀도를 크게 줄이고, 소자 성능을 향상시킬 수 있으며, 고온, 고주파 및 고전력 전자 소자에 유망하게 응용될 수 있습니다.

또한, AlN 결정을 고Al 성분으로 포함하는 AlGaN 에피택셜 물질 기판은 질화물 에피택셜층의 결함 밀도를 효과적으로 감소시키고, 질화물 반도체 소자의 성능 및 수명을 획기적으로 향상시킬 수 있다.

ALN 세라믹 기판의 공통 사양:

길이 및 너비: 25.4mm; 50.8mm; 63.5mm; 76.2mm; 101.6mm; 114.3mm; 127mm; 152.4mm.

두께: 0.25mm; 0.5mm; 0.63mm; 1mm; 1.5mm; 2mm.