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제품 소개기술적인 세라믹 부속

기계 등급 기술 세라믹 부품 InP 웨이퍼 인듐 인화물

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기계 등급 기술 세라믹 부품 InP 웨이퍼 인듐 인화물

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큰 이미지 :  기계 등급 기술 세라믹 부품 InP 웨이퍼 인듐 인화물

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: ZG
인증: CE
모델 번호: MS
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1개 부분
가격: USD10/piece
포장 세부 사항: 세계적인 선박을 위한 강한 나무 상자
배달 시간: 3 작업 일
지불 조건: L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램
공급 능력: 달 당 10000 조각

기계 등급 기술 세라믹 부품 InP 웨이퍼 인듐 인화물

설명
애플리케이션: 빨간색, 노란색 및 녹색 LED(발광 다이오드) 지름: Ø 2" / Ø 3"
두께: 500음 ~ 625음 등급: 에피 폴리싱 그레이드 / 메카니컬 그레이드
강조하다:

기술 세라믹 부품 InP 웨이퍼

,

기계 등급 InP 웨이퍼

,

InP 웨이퍼 인화 인듐

 

InP 웨이퍼(인화인듐)

 

우리는 직경이 최대 3인치인 초소형 전자(HBT/HEMT) 및 광전자 산업(LED/DWDM/PIN/VCSEL)에 고품질 단결정 InP 웨이퍼(인화 인듐)를 제공합니다.인화인듐(InP) 결정은 LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) 방법 또는 VGF 방법에 의한 성장인 인듐과 인의 두 가지 요소에 의해 형성됩니다.InP 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼 및 GaAs 웨이퍼에 비해 전기적, 열적 특성이 우수한 중요한 반도체 재료이며, InP 웨이퍼는 전자 이동도가 높고 주파수가 높으며 소비 전력이 낮고 열전도율이 높으며 노이즈 성능이 낮습니다.MOCVD 및 MBE 에피택셜 애플리케이션을 위한 에피 레디 등급 InP 웨이퍼를 제공할 수 있습니다. 자세한 제품 정보는 당사에 문의하십시오.

 

III-V 화합물 웨이퍼

GaAs 웨이퍼, GaP 웨이퍼, GaSb 웨이퍼, InAs 웨이퍼 및 InP 웨이퍼를 포함한 다양한 화합물 웨이퍼를 제공합니다.

 

전기 및 도핑 사양

제품 사양

성장 LEC / VGF
지름 Ø 2" / Ø 3" / Ø 4"
두께 350음 ~ 625음
정위 <100> / <111> / <110> 또는 기타
오프 방향 꺼짐 2° ~ 10°
표면 한면 광택 또는 양면 광택
플랫 옵션 EJ 또는 SEMI.표준 .
티비 <= 10 음
활/워프 <= 20음
등급 에피 폴리싱 그레이드 / 메카니컬 그레이드
패키지 단일 웨이퍼 컨테이너

연락처 세부 사항
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

담당자: Daniel

전화 번호: 18003718225

팩스: 86-0371-6572-0196

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