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제품 상세 정보:
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| 애플리케이션: | 고전력 소자 광전자 소자 GaN 에피택시 소자 발광 다이오드 | 지름: | Ø 1" / Ø 2" / Ø 3" / Ø 4"/ Ø 6" |
|---|---|---|---|
| 두께: | 330음 ~ 350음 | 등급: | 생산등급 / 연구등급 |
| 강조하다: | 광전자 장치 SiC 웨이퍼,빛 방출 다이오드용 SiC 웨이퍼 |
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SIC 웨이퍼
Semiconductor Wafer, Inc.(SWI)는 전자 및 광전자 산업에 고품질 단결정 SiC 웨이퍼(탄화규소)를 제공합니다.SiC 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼나 GaAs 웨이퍼에 비해 전기적 특성이 독특하고 열적 특성이 우수한 차세대 반도체 소재로 고온, 고전력 소자 응용에 더 적합하다.SiC 웨이퍼는 직경 2인치로 공급할 수 있으며 4H 및 6H SiC, N형, 질소 도핑형, 반절연형 모두 가능합니다.자세한 제품 정보는 당사에 문의하십시오.
SiC 웨이퍼 응용
| 고주파 장치 | 고온 장치 |
| 고전력 장치 | 광전자소자 |
| GaN 에피택시 소자 | 발광 다이오드 |
SiC 웨이퍼 속성
| 다형 | 6H-SiC | 4H-SiC |
| 크리스탈 적층 순서 | ABCABC | ABCB |
| 격자 매개변수 | a=3.073A , c=15.117A | a=3.076A , c=10.053A |
| 밴드갭 | 3.02eV | 3.27eV |
| 유전 상수 | 9.66 | 9.6 |
| 굴절 지수 | n0 = 2.707 , ne = 2.755 | n0 = 2.719 ne = 2.777 |
제품 사양
| 다형 | 4시간 / 6시간 |
|---|---|
| 지름 | Ø 2" / Ø 3" / Ø 4" |
| 두께 | 330음 ~ 350음 |
| 정위 | On axis <0001> / Off axis <0001> off 4° |
| 전도도 | N형 / 반절연 |
| 도펀트 | N2( 질소 ) / V( 바나듐 ) |
| 비저항 ( 4H-N ) | 0.015 ~ 0.03옴-cm |
| 저항(6H-N) | 0.02 ~ 0.1옴-cm |
| 비저항(SI) | > 1E5 옴-cm |
| 표면 | CMP 연마 |
| 티비 | <= 15음 |
| 활/워프 | <= 25음 |
| 등급 | 생산등급 / 연구등급 |
담당자: Daniel
전화 번호: 18003718225
팩스: 86-0371-6572-0196
